下降式晶體生長爐

技術規格書

一·設備用途：

主要用于LED半導體、太陽能等工業晶體的提純、制備。

二·設備特點：

本設備采用一體化設計，立式鐘罩式結構，爐膛材料采用優質的氧化鋁多晶纖維真空吸附制成，節能50%，爐體采用雙層爐殼結構，雙層爐殼之間裝有風機，可以快速升降溫，爐殼表面溫度低，**整潔大方。

三·主要技術參數

1.**使用溫度：1600℃

2.控溫區：兩區（一區高溫區，一區輔助加熱區）

3.功率：                          15Kw±10%單相

4.發熱材料：硅鉬棒（高溫區）電阻絲（輔助加熱區）

5.恒溫區間：200mm（高溫區）

6.爐膛內徑：120mm

7.測溫系統：                   熱電偶

8.控溫精度：                   ±1℃

9.坩堝升降：位移行程 300mm

慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）精度±0.01mm

          快速升降50-200mm/min（伺服控制）

坩堝旋轉：坩堝轉速 1~50RPM

四、結構組成

1、爐體及爐體升降機構

2、坩堝升降旋轉系統

3、變壓器及聯接電纜

4、 溫控系統

五、結構說明

1、爐體及爐體升降系統：爐體殼體采用優質冷軋鋼板雙層結構獨特設計技術，殼體顏色漆經過高溫烘烤而成，經久耐用，爐膛采用高純氧化鋁多晶體纖維材料，分兩區***控溫，高溫區采用優質硅鉬棒為加熱元件，輔助溫區采用優質電阻絲為加熱元件，兩個溫區之間形成溫度梯度，從而保證晶體的正常生長，雙層爐殼間配有風冷系統，能快速對溫控系統降溫；該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。爐體整體做成一個圓筒的罩式結構，與固定在支架平臺上的爐底組成一個完整的爐膛，爐體配有一升降系統，可是爐體**升降，方便裝卸料。

2、坩堝升降旋轉系統：坩堝升降采用伺服控制，位移精度可達0.01毫米，控制精度高，它是由一套線性模組和伺服電機，減速機組成，旋轉機構由旋轉電機減速機組成，升降和旋轉安裝在同***臺上，組成一個完整的機構，安裝在爐底中心位置，從而帶動坩堝桿的升降與旋轉，坩堝桿的上部裝有一坩堝平臺，采用高溫陶瓷材料，經久耐用。

3、溫控系統：電爐的溫度控制采用可控硅功率控制器＋低電壓大電流變壓器，可控硅功率控制器采用移相觸發方式來實現電壓的無級調節，從而達到自動控制功率的目的。采用宇電50段溫控儀表，控溫精度高，可根據需要設定多段升溫曲線，從而達到自動控制溫度的目的。功能強大，操作方便，具有超溫，上線***聲光**功能?？刂乒衩姘迳显O有液晶觸模屏，可顯示、設定坩堝升降速度，旋轉速度、位移等，直觀顯示系統各部件的工作狀態，并可實時顯示記錄工況爐內的溫度?？娠@示溫度、位移曲線，記錄保存數據，數據也可以刪除、導出。爐子的所有動作都有一臺PLC來完成，控制精確自動化程度高。

4、變壓器及聯接電纜：采用三相干式變壓器，聯接電纜采用銅排或軟電纜降低損耗，環保節能。